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功率型LED封装技能的要害工艺剖析

来源:http://www.sh-pv.com 责任编辑:环亚ag88 更新日期:2018-09-17 13:45

  功率型LED封装技能的要害工艺剖析

   超高亮度LED的使用面不断扩大,首要进入特种照明的商场范畴,并向一般照明商场跨进。因为LED芯片输入功率的不断进步,对这些功率型LED的封装技能提出了更高的要求。

   功率型LED封装技能首要应满意以下两点要求:1、封装结构要有高的取光功率,2、热阻要尽可能低,这样才干确保功率LED的光电功能和可靠性。

  半导体LED若要作为照明光源,惯例产品的光通量与白炽灯和荧光灯等通用性光源比较,间隔甚远。因而,LED要在照明范畴开展,要害是要将其发光功率、光通量进步至现有照明光源的等级。功率型LED所用的外延资料选用MOCVD的外延成长技能和多量子阱结构,尽管其内量子功率还需进一步进步,但取得高发光通量的最大妨碍仍是芯片的取光功率低。现有的功率型LED的规划选用了倒装焊新结构来进步芯片的取光功率,改进芯片的热特性,并经过增大芯片面积,加大作业电流来进步器材的光电变换功率,然后取得较高的发光通量。除了芯片外,器材的封装技能也无足轻重。要害的封装技能工艺有:

  散热技能

  传统的指示灯型LED封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺度的反射杯中或载片台上,由金丝完结器材的表里衔接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/W~300℃/W,新的功率型芯片若选用传统式的LED封装方式,将会因为散热不良而导致芯片结温敏捷上升和环氧碳化变黄,然后构成器材的加快光衰直至失效,乃至因为敏捷的热膨胀所发生的应力构成开路而失效。

  因而,关于大作业电流的功率型LED芯片,低热阻、散热杰出及低应力的新的封装结构是功率型LED器材的技能要害。可选用低阻率、高导热功能的资料粘结芯片;在芯片下部加铜或铝质热沉,并选用半包封结构,加快散热;乃至规划二次散热装置,来下降器材的热阻。在器材的内部,填充透明度高的柔性硅橡胶,在硅橡胶接受的温度范围内(一般为-40℃~200℃),胶体不会因温度突然改变而导致器材开路,也不会呈现变黄现象。零件资料也应充分考虑其导热、散热特性,以取得杰出的整体热特性。

  二次光学规划技能

  为进步器材的取光功率,规划外加的反射杯与多重光学透镜。

  功率型LED白光技能

  常见的完成白光的工艺办法有如下三种:

  (1)蓝色芯片上涂上YAG荧光粉,芯片的蓝色光激起荧光粉宣布540nm~560nm的黄绿光,黄绿光与蓝色光组成白光。该办法制备相对简略,功率高,具有实用性。缺陷是布胶量一致性较差、荧光粉易沉积导致出光面均匀性差、色彩一致性欠好;色温偏高;显色性不行抱负。

  (2)RGB三基色多个芯片或多个器材发光混色成白光,或许用蓝+黄绿色双芯片补色发生白光。只需散热得法,ag88环亚国际省心省力!美国物联该办法发生的白光较前一种办法安稳,但驱动较杂乱,别的还要考虑不同色彩芯片的不同光衰速度。

  (3)在紫外光芯片上涂RGB荧光粉,使用紫光激起荧光粉发生三基色光混色构成白光。因为现在的紫外光芯片和RGB荧光粉功率较低,仍未到达实用阶段。

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