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2008 IDW看OLED技能最新进展

来源:http://www.sh-pv.com 责任编辑:环亚ag88 更新日期:2018-08-06 03:53

  2008 IDW看OLED技能最新进展

  IDW 2008 ( International Display Workshops)已于2008年12月3日至5日,于日本新潟县(Niigata City) Toki Messe Convention Center 举办,由The Institute of Image Information and TELevision Engineers (ITE)及The Society for Information Display(SID)所主办,是显示器相关工业每年年底的最终一场盛会,多家显示器大厂以及相关的资料厂商藉此宣示其最新技能,学术界也藉以宣布其研究成果。本次的研讨会首要分为15项主题(表一),OLED为其间的一个研讨会分项,除此之外,其它研讨会分项中也有OLED的呈现,如Active Matrix Displays及Flexible Displays。本文首要就各家大厂和学术界的论文中调查OLED工业的开展意向和趋势,针对OLED 相关的资料、组件及制程上的最新开展做一个简介。

  前语

sony在2007年推出国际第一台量产的OLED TV XEL-1,为商场注入了一剂强心针,OLED的研制比赛又开端加温,可是2008年下半年全球金融海啸迸发后,全球的消吃力大减,LCD工业更面对史无前例的应战,与之竞赛的OLED工业天然不能逃过,除了研制的脚步要加速之外,cost down的速度也是重要的要害之一。针对各家资料大厂关于OLED相关资料的最新研究成果以及面板厂商的最新制造技能,别离介绍如下。

  (1) New singlet blue and green emitters for OLED applications --- Merck, Germany
Merck公司宣布他们的OLED荧光资料,别离介绍天空蓝(sky blue),深蓝(deep blue)和绿光(green)资料。

  (2) Novel Host Material Based on Benzodifuran with Ambipolar Charge Transport Properties --- Tokyo University, Japan
东京大学宣布结构如图一所示的主发光体资料CZBDF,其Tg点为162℃,热稳定性质杰出,LUMO = 2.47 eV,HOMO = 5.79 eV。重要的是,此主发光体资料具有ambipolar的性质,由图二可得知,其电子和电洞的传输速度都在~10-3,都适当高。

  

  


图一、主发光体资料CZBDF的结构

  (3) Systematic Development of Soluble OLED Materials at Merck --- Merck, Germany
Merck的可溶性OLED资料的组件结构皆为ITO /PEDOTPSS / HIL / LEP / Ba / Al。在其蓝光组件中添加必定份额的单体,能够大幅添加组件的寿数,并且不改动发光的色纯度,如图二所示。更进一步操控分子量的巨细在450000 g/mol以上时,能够添加组件的寿数至1200小时(1000nits)。

  

  


图二、可溶性蓝光OLED组件的寿数和发光亮度的联系

  (4) 102 lm/W White Phosphorescent OLED --- UDC, USA
UDC宣布两个白光OLED组件,其发光功率别离为89 lm/W和102 lm/W,打破现在的国际纪录,适当令人注目,可是具体的资料和组件结构并未揭穿。这两个白光组件WOLED-1和WOLED-2的CIE坐标别离为(0.41, 0.46)和(0.48, 0.46),色温则为3900K和2800K,其EL光谱如图三。

  
图三、白光组件的EL光谱

  (5) Horizontal Dipping Method for Simple Fabricating OLEDs --- Kwangwoon University, Korea
一种新的solution-process的办法被提出,命为Horizontal Dipping (H-dipping),图四为其示意图,由调控圆柱体和基板的间隔(h),以及基板的移动速度(V),能够精确的操控有机发光膜层的厚度和均匀性,组件结构为ITO / PEDOT:PSS / EL layer / CsF / Al,如图五为其移动速度和膜层厚度的联系。在10cm x 10 cm的基板上,运用H-dipping的办法能够得到均匀度很高的膜层,均匀粗糙度(roughness)只要0.897 nm。

  

  


图四、H-dipping的示意图

  

  


图五、膜层厚度和基板移动速度的联系图
 

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