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功率发光二极管原理及寿数实验

来源:http://www.sh-pv.com 责任编辑:环亚ag88 更新日期:2018-09-18 19:05

  功率发光二极管原理及寿数实验

   自1968 年使用氮掺杂工艺使GaAsP 赤色发光二极管(L ED) 的发光功率到达1 lm/ W 以来,LED的研讨得到敏捷发展。1985 年,选用液相外延法,使得Al GaAs LED 的发光强度初次打破1 cd。20世纪90 时代初关于InGaAlP 四元系资料的研讨,不只大大进步了LED 的功率,还将高亮度LED 的光谱从红光扩展到黄光和黄绿光。90 时代中期,Nakamura 等选用MOCVD 办法成功地制备出高亮度InGaN/ Al GaN 双异质结蓝光LED 和InGaN 量子阱结构紫外LED。GaN 基蓝光LED 的呈现及其功率的敏捷进步,使LED 得以构成三基色齐备的发光系统,并使白光L ED 的研发成为可能。完成白光LED 的技能途径主要有两条:一是选用红、绿、蓝三基色混合生成白光;二是经过荧光粉变换的办法完成白光,现在以后者居多。跟着白光LED 的功率和功率的不断进步,LED 正在从指示和显现范畴向照明范畴跨进,并将成为继白炽灯、荧光灯、HID之后的第四代照明光源。

  
尽管大功率白光LED 是当时的研讨热门,但用于照明还存在发光功率不够高,空间色度均匀性较差,以及本钱高级问题。此外,尽管LED 是公认的高可靠性半导体产品,可是关于大功率发光二极管的寿数测试数据的报导仍显缺乏。本文评论了荧光粉变换GaN 基大功率白光LED 的光输出随时刻的衰减特性,并对老化过程中LED 的失效状况进行了开始剖析。别的,为了防止荧光粉对LED 光输出衰减特性的影响,对大功率蓝光L ED 进行了老化实验,剖析了大功率蓝光L ED 的失效机理。

   选用荧光粉变换完成白光的办法,以峰值波长为450~470 nm 的GaN 基LED 发射的蓝光为根底光源,其间一部分蓝光透过荧光粉发射出来,另一部分激起荧光粉,使荧光粉宣布峰值为560~580 nm的黄绿色光,透出的蓝光与荧光粉宣布的黄绿色光组成白光。

  
选用不同厂家制造的商用GaN 基大功率蓝色发光芯片别离制备了四组大功率白光LED ,用自己规划制造的老化实验装置对其进行了寿数实验。为了扫除荧光粉对L ED 光输出衰减特性的影响,别离选用与相关白光LED 同批次的芯片制备了大功率蓝色发光二极管。最终选用防静电保护措施对大功率LED 的寿数实验进行改善。

  

   蓝光LED红光LED寿数实验

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